中科院上海硅酸盐研究所的发明专利“非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术”，于今年2月中旬，通过了国家知识产权局的评审，被评为第八届中国专利奖优秀奖。该项发明技术采用了独特的非真空法制造大尺寸高质量掺铊碘化铯晶体，具有投资少、易扩大生产、产量高、成本低、成品率高等显著特点，克服了目前国际上使用真空法生长晶体所存在的制造晶体生长设备周期长且昂贵、晶体毛坯取材率低、产品成本高等缺点。

采用该项发明技术生长出的掺铊碘化铯晶体的光输出、均匀性、抗辐照等性能居国际领先水平。该晶体已提供给美国斯坦福大学、日本高能物理研究所等单位，目前正为北京高能物理研究所研制并提供大批量优质碘化铯晶体，为国内外高能物理科学研究事业做出了自己的贡献。