三星电机株式会社的鲁载哲、曹相德和蔡昇完等，于2004年5月在中国专利局申请了该专利，并于2005年7月公开发表。

        这里公开了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法。氮化物半导体发光器件包括用于生长氮化镓基半导体材料的衬底；形成在衬底上的n型氮化物半导体层；有源层，形成在n型氮化物半导体层上，以使n型氮化物半导体层的预定部分露出；形成在有源层上的p型氮化物半导体层；形成在p型氮化物半导体层上的透明电极层，由此提供了与p型氮化物半导体层的欧姆接触；透明电极层上为Ta/Au的双层形式的p侧键合焊盘；以及n型氮化物半导体层的露出部分上为Ta/Au的双层形式的n侧电极。

来源：新材料科技网